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SUM110N10-09
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3.0
2.5
2.0
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.5
1.0
0.5
0.0
10
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1000
100
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I A V (A) at T A = 25 °C
125
120
115
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Volta g e
I D = 10 mA
110
10
1
0.1
I A V (A) at T A = 150 °C
105
100
95
90
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Drain Source Breakdown
vs. Junction Temperature
Document Number: 70677
S10-0644-Rev. G, 22-Mar-10
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